膜の転写方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西山恵三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001352908
Publication number (International publication number)：2002237626
Application date： Nov. 19, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】高温が必要なプロセスでも、直接成膜が困難な基板上へも膜を転写できるデバイスを実現する。【解決手段】第一基板11,12上に形成した被転写膜14〜15を第二基板18,17上に転写を行う、膜の転写方法において、第一基板上にリフトオフ層13及び弱酸に溶けにくい又は溶けない被転写膜を設ける第一の工程と、被転写膜を第二基板に接着する第二の工程と、リフトオフ層を弱酸を用いてエッチングを行い第一基板を剥離して被転写膜を第二基板上に転写する第三の工程と、を備える。

Claim (excerpt)：

第一の基板から第二の基板に膜を転写する方法であって、前記第一の基板上にリフトオフ層を形成する工程、前記リフトオフ層の上に被転写膜を形成する工程、前記被転写膜を前記第二の基板に接着する工程、エッチャントを用いて前記リフトオフ層をエッチングして前記第一の基板から前記第二の基板を剥離する工程を有し、前記リフトオフ層が前記エッチャントに溶けやすく、前記被転写層が前記エッチャントに溶けにくいことを特徴とする膜の転写方法。

IPC (6)：

H01L 41/22 , H01L 41/09 , H01L 41/18 , B41J 2/045 , B41J 2/055 , B41J 2/16

FI (6)：

H01L 41/22 Z , H01L 41/08 C , H01L 41/08 U , H01L 41/18 101 Z , B41J 3/04 103 H , B41J 3/04 103 A

F-Term (8)：

2C057AF93 , 2C057AG44 , 2C057AP14 , 2C057AP25 , 2C057AP33 , 2C057AP52 , 2C057BA03 , 2C057BA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体物品の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-298215 Applicant：キヤノン株式会社
酸化物超伝導薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-314748 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-058315

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