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J-GLOBAL ID:200903024236366946

炭素物質、炭素物質の製造方法及び電子放出素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大塚 秀一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000100114
Publication number (International publication number):2001240403
Application date: Feb. 25, 2000
Publication date: Sep. 04, 2001
Summary:
【要約】【課題】 電子放出素子に適した炭素物質を提供すること。【解決手段】 CVD法を用いて、電気炉109によって所定温度に加熱されたチャンバ108内に、Cuによって形成された基材上にNiを被着して成る基板110を配設し、C2H4を供給すると共にフィラメント107を所定温度に加熱することにより、炭素によって構成され線径が1nm〜2μmで少なくとも一部が螺旋状に形成された炭素物質を製造する。
Claim (excerpt):
炭素によって構成され線径が1nm〜2μmで少なくとも一部が螺旋状に形成された炭素物質。
IPC (4):
C01B 31/02 101 ,  D01F 9/127 ,  H01J 1/30 ,  H01J 1/304
FI (4):
C01B 31/02 101 Z ,  D01F 9/127 ,  H01J 1/30 A ,  H01J 1/30 F
F-Term (17):
4G046CA02 ,  4G046CB01 ,  4G046CB08 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08 ,  4L037AT02 ,  4L037CS03 ,  4L037CS10 ,  4L037CS11 ,  4L037CS17 ,  4L037CS38 ,  4L037FA03 ,  4L037FA05 ,  4L037PA03 ,  4L037PA12 ,  4L037UA20 ,  5C035BB01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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