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J-GLOBAL ID：200903024268019997

多段インプリントリソグラフィ

Inventor： パヴェル・コーニロヴィッチ ,  ヨン・チェン ,  ダンカン・ステワート ,  アール・スタンレイ・ウィリアムズ ,  フィリップ・ジェイ・クエケス ,  メーメット・ファティー・ヤニク
Applicant, Patent owner： ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.
Agent (3)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004153541
Publication number (International publication number)：2004363584
Application date： May. 24, 2004
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：

【課題】ナノメートルサイズの電子回路において特定のマイクロワイヤを特定のナノワイヤに接続する方法を提供する。【解決手段】ナノワイヤと、マイクロワイヤおよびリソグラフィで作成された電子回路のその他の素子との間に制御された接続が提供される。インプリントスタンプは概ね平行なナノワイヤのアレイを形成するように構成される。ナノワイヤは(1)X方向においてマイクロスケールの寸法を有し、(2)Y方向においてナノスケールの寸法とナノスケールの間隔とを有し、Z方向において3以上の異なる高さを有する。特定のナノワイヤをマイクロスケールのワイヤまたはパッドの特定のマイクロスケールの領域に接続が可能になる。モールドの突出パターンは薄いポリマーフィルムに溝を形成し、ポリマーフィルムはモールドのパターンの反転したものを得る。モールドを外した後、そのポリマーパターンを基板上の金属/半導体パターンに転写することができる。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

(1)X方向においてミクロンスケールの寸法を有し、(2)Y方向においてナノメートルスケールの寸法およびナノメートルスケールの間隔を有し、(3)Z方向において少なくとも3つの異なる高さ(12a,12b,12c)を有する概ね平行なナノワイヤ(118a,118b)を作成するための突出パターン(110a,110b)を有するモールド(110)。

IPC (3)：

H01L21/027 ,  B82B3/00 ,  H01L21/3205

FI (3)：

H01L21/30 502D ,  B82B3/00 ,  H01L21/88 B

F-Term (11)：

5F033HH04 ,  5F033HH06 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH25 ,  5F033LL04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ41 ,  5F046AA28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第6,256,767号明細書
  

Cited by examiner (1)

• スタンパとスタンパを用いたパターン転写方法及び転写パターンによる構造体の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-224327   Applicant：株式会社日立製作所