容量検出型センサ及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002077937
Publication number (International publication number)：2003269906
Application date： Mar. 20, 2002
Publication date： Sep. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】放電によるカバー膜の破損を防止できるとともに、ESD電極が腐食しにくく、長期間にわたって高い信頼性を確保できる容量検出型センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10上に容量センサ電極22をマトリクス状に配置し、カバー膜23で被覆する。これらの容量センサ電極22は駆動回路11に接続される。容量センサ電極22の角部近傍にESD電極21を配置する。ESD電極21は、例えば導電性が優れたアルミニウムを主成分とする膜と、その上のTiN膜とにより構成される。ESD電極21は、半導体基板10を介して接地される。ESD電極21の上には、カバー膜23の表面からESD電極21に到達する複数の微細なESDホールが形成されている。

Claim (excerpt)：

複数の容量センサ電極を備えた容量検出型センサにおいて、基板と、前記基板の上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された導電性の第1の静電気放電電極膜と、前記第1の静電気放電電極膜上に形成された導電性の第2の静電気放電電極膜と、前記複数の容量センサ電極の上を覆い、且つ、前記第2の静電気放電電極膜に到達する複数の開口部が設けられたカバー膜とを有することを特徴とする容量検出型センサ。

IPC (5)：

G01B 7/28 , A61B 5/117 , G06T 1/00 400 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (4)：

G01B 7/28 A , G06T 1/00 400 G , H01L 27/04 H , A61B 5/10 322

F-Term (17)：

2F063AA43 , 2F063AA50 , 2F063BA29 , 2F063CA31 , 2F063DA02 , 2F063DA05 , 2F063DD07 , 2F063HA04 , 4C038FF01 , 4C038FG00 , 5B047AA25 , 5B047BB10 , 5B047BC01 , 5F038BH09 , 5F038BH10 , 5F038BH13 , 5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

指紋読取装置及び指紋照合装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-240323 Applicant：ソニー株式会社
薄膜トランジスタ及び液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-046964 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-090389 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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Cited by examiner (5)

指紋読取装置及び指紋照合装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-240323 Applicant：ソニー株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-046964 Applicant：松下電器産業株式会社
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