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J-GLOBAL ID：200903024346496900

有機半導体素子およびこれを備えた表示素子

Inventor： 齊藤 公彦 ,  徳弘 淳
Applicant, Patent owner： 三井化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005222180
Publication number (International publication number)：2007042685
Application date： Jul. 29, 2005
Publication date： Feb. 15, 2007
Summary：

【課題】 印刷等で簡便に作製可能な非線形有機半導体素子、並びにそれを画素制御に用いた表示素子の提供することを目標とする。【解決手段】 基板上に第1電極層、有機半導体層、第2電極層が順次積層されて積層体をなしており、第1電極層と有機半導体層の界面、もしくは第2電極層と有機半導体層の界面の一方にショットキー接合が形成され、もう一方にオーミック接合が形成される有機半導体素子において、特に有機半導体層が2層の有機半導体層からなり、オーミック接合側の有機半導体層にキャリアドープを行うことにより、耐電圧性が高い非線形有機半導体素子を得た。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

第1電極層、有機半導体層、第2電極層が順次積層されており、第1電極層と有機半導体層の界面、もしくは第2電極層と有機半導体層の界面の一方にショットキー接合が形成され、もう一方にオーミック接合が形成され、該有機半導体層が2層以上の有機半導体層からなる有機半導体素子。

IPC (4)：

H01L 51/05 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (3)：

H01L29/28 100A ,  H01L29/91 G ,  H01L29/48 D

F-Term (14)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104GG03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 有機半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-127299   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所