有機半導体デバイス

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003127299
Publication number (International publication number)：2004335610
Application date： May. 02, 2003
Publication date： Nov. 25, 2004
Summary：

【課題】良好な特性を有するn型有機半導体を提供できるようにして、良好な特性を有する有機半導体太陽電池を提供できるようにする。【解決手段】ガラス基板15上にITO電極13、MEH-PPV薄膜11などからなるp型有機半導体層、C60(フラーレン)薄膜12などからなるn型有機半導体層を形成し、その上にMgAg電極14を形成する。MgAg電極14からMgが、C60薄膜12へ拡散することにより良好な特性のn型有機半導体が得られる。MgAg電極14に代えて、Mg薄膜とAl層とを積層した電極を用いてもよい。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

n導電型の有機半導体層を有する半導体デバイスにおいて、前記n導電型の有機半導体層にはMgがドーパントとして含まれており、かつ、ドーパントであるMgは前記n導電型の有機半導体層の一方の面に形成されたMgを含む材料から構成されるn極電極からドープされたものであることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (5)：

H01L31/04 , H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L51/00

FI (4)：

H01L31/04 D , H01L21/28 301B , H01L29/48 D , H01L29/28

F-Term (16)：

4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD34 , 4M104GG05 , 5F051AA11 , 5F051AA16 , 5F051CB13 , 5F051DA05 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

光電変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-166790 Applicant：出光興産株式会社
切替え可能な光電感度を有する有機ダイオード
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-529759 Applicant：ユニアックスコーポレイション
特開昭61-054662

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