Pat

J-GLOBAL ID：200903024397652361

高温超伝導マイクロ波帯域通過フィルタおよびその製造方法

Inventor： 姜 光▲ヨン▼ ,  李 相烈 ,  尹 ▲哲▼植
Applicant, Patent owner： 財団法人韓国電子通信研究所
Agent (1)： 富田 和子 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994280969
Publication number (International publication number)：1995202533
Application date： Nov. 15, 1994
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は情報通信用受動素子、特に高周波領域で性能が優秀な帯域通過フィルタの製造方法に関する。【構成】 酸化物高温超伝導体のエピタクシャル薄膜を形成する。そして、該薄膜に対し、フォトリソグラフィック工程および混合蝕刻工程を適用することで、YBCO/MgO/Cr/Cu/AuまたはYBCO/LaA103/Cr/Cr/Cu/Au構造の高周波用帯域通過フィルタを製造する。【効果】 基板上に形成する回路パターンの精密度及び鋭利度をはるかに高めることが出来る。

Claim (excerpt)：

平行結合線(1)と、該平行結合線(1)を外部回路に接続するための入出力端(3)と、上記平行結合線(1)よりも線幅の広い連結線(4)とを、含んで構成される平行結合線方式のマイクロ波帯域通過フィルターの回路パターンを、マイクロ波フィルター設計理論とマイクロ波部品開発用ソフトウエアを利用し、誘電体基板の種類および基板の厚さを考慮して設計及び最適化する第1の段階と、所定の誘電体基板(2)の上に、高温超伝導体YBCOのエピタキシャル薄膜(5)をパルスレーザ蒸着法を利用して蒸着する第2の段階と、上記平行結合線(1)と、上記入出力端(3)と、上記連結線(4)とを、上記設計された回路パターンに従って上記蒸着された高温超伝導体YBCOのエピタキシャル薄膜(5)の上に形成する第3の段階と、上記誘電体基板(2)の裏面に、複数の金属層からなる接地平面を形成する第4の段階と、を含んで構成される高温超伝導マイクロ波帯域通過フィルターの製造方法。

IPC (2)：

H01P 11/00 ZAA ,  H01P 1/203 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 超伝導高周波共振器およびフィルター
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-101440   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-147681
  
• 特開平4-246902