フォトレジスト層のパターン化法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田中正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996271158
Publication number (International publication number)：1998115937
Application date： Oct. 14, 1996
Publication date： May. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】フォトレジスト層に対しフォトマスクを用いた露光処理を施す工程と、その露光処理を施す工程をとって後または前に、フォトレジスト層の表面に沿った領域に改質液を用いた改質処理を施す工程と、露光処理を施す工程及び改質処理を施す工程をとって後、フォトレジスト層に対し現像処理を施す工程とをとって、フォトレジスト層から、そのパターン化されたフォトレジスト層を、オーバーハングしている断面パターンで得るにつき、その断面パターンを、所期の断面パターンで再現性よく得る。【解決手段】改質処理を施す工程後、現像処理を施す工程前において、フォトレジスト層の表面に沿う領域から、改質液の残留を、改質液除去液を用いて除去する工程を有する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたフォトレジスト層に対し、フォトマスクを用いた露光処理を施す工程と、上記露光処理を施す工程後、上記フォトレジスト層の表面に沿った領域に、改質液を用いた改質処理を施す工程と、上記改質処理を施す工程後、上記フォトレジスト層に対し、現像処理を施す工程とを有するフォトレジスト層のパターン化法において、上記改質処理を施す工程後、上記現像処理を施す工程前において、上記フォトレジスト層の表面に沿った領域から、上記改質液の残留を、改質液除去液を用いて除去する工程を有することを特徴とするフォトレジスト層のパターン化法。

IPC (3)：

G03F 7/38 512 , G03F 7/26 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/38 512 , G03F 7/26 , H01L 21/30 568 , H01L 21/30 576

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平4-296860
特開昭61-272931
レジストパターンおよび薄膜金属パターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-314696 Applicant：日本電信電話株式会社

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