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J-GLOBAL ID：200903024617668000

スフィンゴミエリン類縁体およびその製法

Inventor： 勝村 成雄 ,  箱木 敏和 ,  泰地 美沙子 ,  門田 佳子 ,  岩間 聖司 ,  重成 俊彦
Applicant, Patent owner： ダイソー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002344914
Publication number (International publication number)：2004175735
Application date： Nov. 28, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】スフィンゴミエリナーゼ阻害活性を有する化合物を提供すること【解決手段】一般式(1)で表される新規なスフィンゴミエリン類縁体と、その効率的な製造法。光学活性体を原料に用いた場合に、反応途中で光学純度を低下させることなく、高光学活性なスフィンゴミエリン類縁体を得るための製法。【化1】(式中、R1およびR2は同一または異なって、炭素数が1〜20のアルキル基、アリール基、またはアリール基置換炭素数1〜6のアルキル基を意味する。)【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

一般式(1)

IPC (5)：

C07F9/165 ,  C07B53/00 ,  C07C319/20 ,  C07C323/27 ,  C07C323/43

FI (6)：

C07F9/165 U ,  C07F9/165 V ,  C07B53/00 G ,  C07C319/20 ,  C07C323/27 ,  C07C323/43

F-Term (20)：

4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AC41 ,  4H006AC56 ,  4H006BB14 ,  4H006BB17 ,  4H006BE01 ,  4H006BE12 ,  4H006TA04 ,  4H050AA01 ,  4H050AA02 ,  4H050AB80 ,  4H050AC40 ,  4H050AC50 ,  4H050AC80 ,  4H050BD70 ,  4H050BE60 ,  4H050WA13 ,  4H050WA24 ,  4H050WA28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• スフィンゴシン-1-ホスフェートその誘導体および擬態物による細胞能動性の阻害方法、並びにスフィンゴシン-1-ホスフェートおよびその誘導体の合成方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平5-517540   Applicant：ザ・バイオメンブレイン・インスティテュート

Cited by examiner (1)

• スフィンゴシン-1-ホスフェートその誘導体および擬態物による細胞能動性の阻害方法、並びにスフィンゴシン-1-ホスフェートおよびその誘導体の合成方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平5-517540   Applicant：ザ・バイオメンブレイン・インスティテュート

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• Tetrahedron, 2000, Vol.56,No.46, p.9129-p.9142
• Tetrahedron, 1999, Vol.55,No.33, p.10041-p.10046

Cited by examiner (2)

• Tetrahedron, 2000, Vol.56,No.46, p.9129-p.9142
• Tetrahedron, 1999, Vol.55,No.33, p.10041-p.10046