メモリ装置及びそのデータ読出し方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：稲葉良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000373420
Publication number (International publication number)：2001229666
Application date： Dec. 07, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】パッシブアドレッシング方式の単純マトリクス型メモリ素子からデータを読出しするときに、クロストークを防止することで、電極配設ピッチをより狭くすること、すなわち、メモリの大容量化を可能にする。【解決手段】パッシブアドレッシング方式の単純マトリクス型メモリ素子を成す複数のメモリセルの中から所望のメモリセルを選択する手段(3〜5、8)と、選択されたメモリセルの記憶データを破壊読出しする手段(6)と、選択メモリセルから記憶データが読み出されている間は、その選択メモリに少なくとも隣接したメモリセルの記憶データの破壊読出しを禁止する手段(8、5)とを備える。

Claim (excerpt)：

マトリクス状に配列された複数のメモリセルから成り、且つパッシブアドレッシング方式に基づき当該メモリセルの記憶データの読出しを行う単純マトリクス型メモリ素子を備えたメモリ装置において、前記複数のメモリセルの中で所望のメモリセルを選択する選択手段と、この選択手段により選択されたメモリセルの記憶データを読出しするデータ読出し手段と、このデータ読出し手段によって選択メモリセルから記憶データが読み出されている間は、その選択メモリに少なくとも隣接したメモリセルの記憶データの読出しを禁止する読出し禁止手段とを備えたことを特徴とするメモリ装置。

IPC (2)：

G11C 11/22 , H01L 27/105

FI (2)：

G11C 11/22 , H01L 27/10 444 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-154389
特開平2-154389
強誘電体メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-009992 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション

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