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J-GLOBAL ID：200903024672219665

基板処理装置及び化学蒸着装置洗浄方法

Inventor： マイケル・ディー・キルゴア ,  ウィルバート・ジー・エム・バンデンホーエック ,  クリストファー・ジェイ・ラウ ,  バート・ジェイ・バンシュラベンディック ,  ジェフリー・エイ・トビン ,  トーマス・ダブリュ・マウントシアー ,  ジェイムズ・シー・オズワルト
Applicant, Patent owner： ノベラス・システムズ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大島 陽一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997031788
Publication number (International publication number)：1997249976
Application date： Feb. 17, 1997
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 堆積ガス注入管を洗浄を高い効率で行うことのできるプラズマCVD装置、及びラズマCVD装置の堆積ガス注入管の洗浄を高い効率で行う方法を提供する。【解決手段】 反応チャンバ(110)を有する基板処理装置(10)であって、前記反応チャンバは、基板(108)を支持するチャック(118)と、プロセスガス射出装置(128)と、前記プロセスガス射出装置とは別個の、前記チャックの上方の前記反応チャンバ内の空間に横方向かつ上向きに洗浄ガスの流れを向けるようにその姿勢が設定された洗浄ガスインジェクタ(129)とを有する。

Claim (excerpt)：

反応チャンバを有する基板処理装置であって、前記反応チャンバは、基板を支持するチャックと、プロセスガス射出装置と、前記プロセスガス射出装置とは別個の、前記チャックの上方の前記反応チャンバ内の空間に横方向かつ上向きに洗浄ガスの流れを向けるようにその姿勢が設定された洗浄ガスインジェクタとを有することを特徴とする基板処理装置。

IPC (5)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/31

FI (5)：

C23C 16/44 J ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 Z ,  H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• プラズマ処理装置及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-264587   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭63-267430
  
• 特開昭63-267430
  
• 処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-296148   Applicant：東京エレクトロン株式会社