半導体装置および相補型半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001399595
Publication number (International publication number)：2003197906
Application date： Dec. 28, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】チャネル層と、前記チャネル層上に形成されたゲート電極と、前記チャネル層の一の側に形成されたp型ソース領域と、前記チャネル層の他の側に形成されたp型ドレイン領域とよりなり、前記チャネル層中において、2次元面内方向に等方的に印加される圧縮歪みにより、重い正孔と軽い正孔のバンドが分裂しているpチャネル型半導体装置において、チャネル層中における正孔の移動度を最大化する。【解決手段】 p型ソース領域とp型ドレイン領域とを結ぶチャネル方向を、前記チャネル層中における正孔の移動度が最大になるように<100>方向あるいはその近傍の方向に設定する。

Claim (excerpt)：

チャネル層と、前記チャネル層上に形成されたゲート電極と、前記チャネル層の一の側に形成されたp型ソース領域と、前記チャネル層の他の側に形成されたp型ドレイン領域とよりなるpチャネル型半導体装置において、前記チャネル層中においては、2次元面内方向に等方的に印加される圧縮歪みにより、重い正孔と軽い正孔のバンドが分裂しており、前記p型ソース領域と前記p型ドレイン領域とを結ぶチャネル方向は、前記チャネル層中における正孔の移動度が最大となる方向の近傍に設定されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 29/78 , H01L 21/338 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/161 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (4)：

H01L 29/78 301 B , H01L 29/163 , H01L 27/08 321 C , H01L 29/80 H

F-Term (46)：

5F048AC03 , 5F048BA05 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BC19 , 5F048BD01 , 5F048BD05 , 5F048BD09 , 5F048BE03 , 5F048BE09 , 5F048BG13 , 5F048BG14 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK02 , 5F102GL02 , 5F102GM02 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GT02 , 5F102HC01 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BB18 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BC15 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF51 , 5F140BH43 , 5F140BJ01 , 5F140BK13 , 5F140CB04 , 5F140CB08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-333601 Applicant：松下電器産業株式会社
絶縁体上の半導体のキャリア移動度を強化する構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-204056 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

Hole transport theory in pseudomorphic Si1-xGex alloys grown on Si(001) substrates
Enhanced Performance in Sub-100 nm CMOSFETs using Strained Epitaxial Silicon-Germanium
Enhanced Performance in Sub-100 nm CMOSFETs using Strained Epitaxial Silicon-Germanium

Return to Previous Page