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J-GLOBAL ID：200903024795855345

薄膜トランジスタ、画像表示素子および画像表示装置

Inventor：
辻村 隆俊

About 辻村 隆俊

, 
師岡 光雄

About 師岡 光雄


Applicant, Patent owner：
奇美電子股▲ふん▼有限公司

About 奇美電子股▲ふん▼有限公司


Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002245322
Publication number (International publication number)：2004087682
Application date： Aug. 26, 2002
Publication date： Mar. 18, 2004
Summary：
【課題】継続した通電状態での使用に対して、閾値電圧の変動を抑制できる薄膜トランジスタを実現すること。【解決手段】中心付近に配設されたソース/ドレイン領域1と、ソース/ドレイン領域1の外周に接触し、ソース/ドレイン領域1の外周を覆うよう配設された半導体層2と、半導体層2の外周に接触し、半導体層2の外周を覆うよう配設され、ソース/ドレイン領域1の電位よりも高電位の状態に維持されたソース/ドレイン領域3とを備えた構造を有する。また、ソース/ドレイン領域1の外周と、ソース/ドレイン領域3の内周は、互いが同心円となるような形状を有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1のソース/ドレイン電極に接続され、所定の電位を有する第1のソース/ドレイン領域と、 第2のソース/ドレイン電極に接続され、前記第1のソース/ドレイン領域の外周全体を覆うよう配設され、かつ少なくとも動作時に前記第1のソース/ドレイン領域よりも高い電位を有する第2のソース/ドレイン領域と、 前記第1のソース/ドレイン領域と前記第2のソース/ドレイン領域との間に配設される半導体層と、 前記半導体層中にチャネルを誘起させるゲート電極と、 を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3)：
H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H05B33/14
FI (6)：
H01L29/78 616T ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365Z ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 617K
F-Term (43)：
3K007AB11 ,  3K007BA06 ,  3K007BB07 ,  3K007DB03 ,  3K007GA04 ,  5C094AA21 ,  5C094AA31 ,  5C094AA48 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094FA01 ,  5C094FB01 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094FB20 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110EE03 ,  5F110EE09 ,  5F110EE24 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG23 ,  5F110GG32 ,  5F110HK03 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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