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J-GLOBAL ID：200903082755276601

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 河崎 律子 ,  笠原 健司 ,  大谷 久
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000370961
Publication number (International publication number)：2001230420
Application date： Dec. 06, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】 結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をTFTのチャネル形成領域に用いることにより、高速動作可能なTFTを実現することを目的とする。【解決手段】 下地にメタルや高熱伝導度絶縁膜を用いずに、従来の絶縁膜のみを使用して温度勾配を作り、所望の位置に下地絶縁膜の段差を設け段差形状に対応して発生する半導体内部の温度分布を利用してラテラル成長の発生場所、方向を制御する。

Claim (excerpt)：

基板上に絶縁膜と、前記絶縁膜上に半導体膜と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有する半導体装置であって、前記絶縁膜は凸部を有しており、前記半導体膜は凸部と凸部のない領域とに連続して形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20

FI (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 626 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 薄膜トランジスタ及びこの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-151212   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-067983   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-078965   Applicant：三洋電機株式会社

Cited by examiner (3)

• 薄膜トランジスタ及びこの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-151212   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-067983   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-078965   Applicant：三洋電機株式会社