半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992109416
Publication number (International publication number)：1993304218
Application date： Apr. 28, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】層間絶縁膜に吸収される水分量を低減して金属配線のボイドの発生を防止する。【構成】テトラエトキシシランとアンモニアを用いるプラズマCVD法により、窒素を含む酸化シリコン膜を堆積して層間絶縁膜を形成することにより、層間絶縁膜に吸湿される水分量を低減することができ、層間絶縁膜に接する金属配線にボイドが発生するのを防止し、信頼性を向上させる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けた下層配線を含む表面に窒素を含有する酸化シリコン膜を堆積して層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の上に上層配線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/90 , H01L 21/318

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-039934
特開平4-162428
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-044767 Applicant：富士通株式会社

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