半導体集積回路

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996111501
Publication number (International publication number)：1997298299
Application date： May. 02, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】消費電流を増加させることなく、回路動作を高速化できる。【解決手段】 pMOSトランジスタとnMOSトランジスタとを直列接続したインバータにおいて、各々のトランジスタのゲート酸化膜をSiO2 とSiNの積層構造とし、各々のトランジスタのしきい値を、ONする時にはしきい値が低く、ONして電流が流れた後に所定の時定数τ1を経てしきい値が高くなり、OFFした後に所定の時定数τ2が経過するとしきい値が元の低い値に戻るように制御した。

Claim (excerpt)：

MOSFETで構成される論理ゲートを有する半導体集積回路において、前記MOSFETは電子又はホールをトラップする手段を含むものであり、前記MOSFETのゲートがONする時にはしきい値が低く、ONして電流が流れた後に所定の時定数τ1を経てしきい値が高くなり、OFFした後に所定の時定数τ2が経過するとしきい値が元の低い値に戻ることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (7)：

H01L 29/78 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 102 C , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-134866
MOS電界効果型トランジスタ及びその製造方法、並びにそのMOS電界効果型トランジスタを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-027462 Applicant：新日本製鐵株式会社
特開平4-134866

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