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J-GLOBAL ID：200903024836822783
樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993184270
Publication number (International publication number)：1995045765
Application date： Jul. 27, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】回路組立体の内部接続に使用した共晶ソルダが再溶融するおそれのない低成形温度条件で樹脂封止が行えるようにした生産性の高い樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法を提供する。【構成】リードフレーム2の上に構成した半導体チップ3を含む回路組立体を放熱用の金属絶縁基板1に搭載して共晶ソルダ7で半田接合するとともに、金属絶縁基板の金属板底面を露呈させて回路組立体の周域を樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法であって、あらかじめ金属絶縁基板1の底面側に離型剤9を塗布しておき、この金属絶縁基板に搭載した回路組立体を射出成形用金型8にインサートした上で、140°C〜180°Cの成形温度条件でキャビティに液状のエポキシ樹脂を充填して封止樹脂層を成形する。
Claim (excerpt)：
リードフレームを用いて構成した回路組立体を金属絶縁基板に搭載してリードフレームと金属絶縁基板との間を低融点の共晶ソルダで半田接合し、かつ金属絶縁基板の放熱面となる底面を露呈させたまま回路組立体の周域を樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法であって、金属絶縁基板に搭載した回路組立体を射出成形用金型にインサートし、140°C〜180°Cの成形温度条件でキャビティに液状の熱硬化性樹脂を充填して封止樹脂層を成形することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法。
IPC (4)：
H01L 23/48
, B29C 45/02
, H01L 21/56
, B29L 31:34
Cited by examiner (7)
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