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J-GLOBAL ID:200903024885220969

半導体レーザ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤谷 修
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993321064
Publication number (International publication number):1995147463
Application date: Nov. 25, 1993
Publication date: Jun. 06, 1995
Summary:
【要約】【目的】円形により近い断面のビームを得る半導体レーザを提供すること。【構成】図1は発光層面法線に90°の角度を持たせた配置の直交ビームレーザの断面図で、半導体レーザ素子2個11、12が90°の角度をなすチップ台の銅製ヒートシンク2上に接着されている。一つの素子からは長楕円形状のビーム断面となるが、お互いに90°異なったビーム分布を持つ個々のレーザ素子からのビームが重なり合って、4回対称の断面を有するビームとなる。特に重なり合った中央部分では、より円形に近い形状で強度が倍になった状態となり、光軸の差は大きくて数ミリ程度のオーダーであるので、数cm以上離れたビーム実用領域では、この光軸差は無視できる。より多角形の柱形状、多角形の孔を形成するヒートシンクに半導体レーザ素子を配置させることで、より円形に近い多回転対称のレーザビームが得られる。
Claim (excerpt):
ビーム断面が略楕円形状であって、該略楕円形状の長軸がレーザ発光層面の法線方向となる発光層を持つ半導体レーザ素子を複数用いた半導体レーザにおいて、前記各半導体レーザ素子のビーム放射方向を同一方向かつ平行にし、前記各半導体レーザ素子の前記法線方向のなす角度を180/n(deg)とした素子配置であり、全ビームを合成した合成ビーム断面形状が略2n回転対称(n=2,3,...) であることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2):
H01S 3/18 ,  G02B 27/09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平1-154584
  • 光源ユニット
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-062065   Applicant:ローム株式会社
  • 特開平2-254783
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