絶縁薄膜用の多孔性シリカ薄膜

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001336888
Publication number (International publication number)：2003142476
Application date： Nov. 01, 2001
Publication date： May. 16, 2003
Summary：

【要約】【課題】多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるCMP工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。【解決手段】多孔性シリカ薄膜の架橋率が70%以上であり、X線散乱測定で、散乱角度(2θ)が0.5〜3°の間に少なくとも1本以上の散乱ピークが存在し、かつ、シラノール基の面密度が2%以下であることを特徴とする多孔性シリカ薄膜。

Claim (excerpt)：

多孔性シリカ薄膜の架橋率が70%以上であり、該多孔性シリカ薄膜のX線散乱測定で、散乱角度(2θ)が0.5〜3°の間に少なくとも1本以上の散乱ピークが存在し、かつ該多孔性シリカ薄膜のシラノール基の面密度が2%以下であることを特徴とする多孔性シリカ薄膜。

IPC (3)：

H01L 21/312 , C01B 33/12 , H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/312 C , C01B 33/12 C , H01L 21/90 Q , H01L 21/90 N

F-Term (67)：

4G072AA25 , 4G072BB09 , 4G072BB15 , 4G072FF04 , 4G072FF06 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH28 , 4G072HH30 , 4G072JJ11 , 4G072JJ47 , 4G072KK01 , 4G072LL13 , 4G072LL15 , 4G072MM01 , 4G072NN21 , 4G072PP17 , 4G072QQ06 , 4G072RR05 , 4G072RR07 , 4G072RR12 , 4G072UU01 , 4G072UU07 , 4G072UU17 , 4G072UU21 , 4G072UU22 , 4G072UU30 , 5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033QQ48 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR13 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR22 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS03 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033WW00 , 5F033WW04 , 5F033XX03 , 5F033XX12 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC05 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

界面活性剤を含む溶剤から調製するメソポーラスシリカ薄膜及びその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-590948 Applicant：バトル・メモリアル・インスティチュート
整列メソポーラス型薄フィルム
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-512640 Applicant：サンディアコーポレーション

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