Pat
J-GLOBAL ID:200903024961380245
配線材料およびこれを用いた配線を備えた半導体装置およびその作製方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000194104
Publication number (International publication number):2002083812
Application date: Jun. 28, 2000
Publication date: Mar. 22, 2002
Summary:
【要約】【課題】 TFT特性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】 ターゲットとしては高純度のターゲットを用い、スパッタガスとしてはアルゴン(Ar)の単体ガスを用い、基板温度を300°C以下とし、スパッタ電力を1kW〜9kWとし、スパッタガスの圧力を1.0Pa〜3.0Paとすることにより膜の応力を、-1×1010〜1×1010dyn/cm2とする。こうして、膜中に含まれるナトリウムが0.03ppm以下、好ましくは0.01ppm以下であり、且つ、低い電気抵抗率(40μΩ・cm以下)を有する導電膜をTFTのゲート配線材料やその他の配線材料として用いることにより、TFTを備えた半導体装置の動作性能や信頼性を大幅に向上させることができる。
Claim (excerpt):
タングステンまたはタングステン化合物を主成分とする配線材料であって、前記配線材料中の不活性元素にアルゴンを90%以上含み、且つ、前記配線材料中におけるナトリウムの含有量は0.3ppm以下であることを特徴とする配線材料。
IPC (10):
H01L 21/3205
, C23C 14/34
, G02F 1/1343
, G02F 1/1368
, G09F 9/30 330
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, H01L 29/78
, H01L 29/786
, H04N 5/66 102
FI (10):
C23C 14/34 A
, G02F 1/1343
, G09F 9/30 330 Z
, H01L 21/285 S
, H01L 21/285 301 R
, H04N 5/66 102 A
, H01L 21/88 M
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 617 M
F-Term (191):
2H092HA06
, 2H092HA12
, 2H092JA24
, 2H092JA26
, 2H092JB64
, 2H092KB04
, 2H092MA05
, 2H092MA08
, 2H092MA25
, 2H092NA28
, 2H092PA02
, 2H092PA06
, 2H092RA05
, 2H092RA10
, 4K029BA02
, 4K029BA21
, 4K029BA58
, 4K029BB02
, 4K029BC03
, 4K029BD01
, 4K029CA05
, 4K029DC03
, 4K029DC04
, 4M104AA01
, 4M104AA09
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB14
, 4M104BB26
, 4M104BB27
, 4M104BB28
, 4M104BB30
, 4M104BB31
, 4M104BB32
, 4M104BB33
, 4M104BB39
, 4M104BB40
, 4M104CC05
, 4M104DD16
, 4M104DD17
, 4M104DD26
, 4M104DD40
, 4M104DD41
, 4M104DD65
, 4M104DD79
, 4M104DD80
, 4M104EE06
, 4M104EE12
, 4M104EE17
, 4M104EE18
, 4M104FF06
, 4M104FF13
, 4M104FF18
, 4M104FF22
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG19
, 4M104GG20
, 4M104HH01
, 4M104HH02
, 4M104HH03
, 4M104HH05
, 4M104HH08
, 4M104HH16
, 4M104HH20
, 5C058AA09
, 5C058AB01
, 5C058BA35
, 5C094AA21
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094BA52
, 5C094DA13
, 5C094EA00
, 5C094FB12
, 5C094HA05
, 5C094HA08
, 5C094HA10
, 5F033GG04
, 5F033HH04
, 5F033HH08
, 5F033HH09
, 5F033HH11
, 5F033HH14
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH20
, 5F033HH21
, 5F033HH22
, 5F033HH23
, 5F033HH26
, 5F033HH27
, 5F033HH28
, 5F033HH29
, 5F033HH30
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033HH34
, 5F033HH35
, 5F033JJ01
, 5F033JJ09
, 5F033JJ18
, 5F033KK01
, 5F033MM05
, 5F033MM08
, 5F033MM11
, 5F033MM12
, 5F033PP15
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ11
, 5F033QQ19
, 5F033QQ37
, 5F033QQ73
, 5F033QQ82
, 5F033QQ83
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033TT04
, 5F033VV06
, 5F033VV10
, 5F033VV15
, 5F033WW00
, 5F033WW01
, 5F033WW02
, 5F033XX00
, 5F033XX05
, 5F033XX06
, 5F033XX10
, 5F033XX13
, 5F033XX16
, 5F033XX19
, 5F033XX28
, 5F033XX34
, 5F040DA26
, 5F040DB03
, 5F040EB13
, 5F040EC04
, 5F040EC07
, 5F040EC08
, 5F040EJ03
, 5F110AA03
, 5F110AA26
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110CC08
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110DD25
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE05
, 5F110EE06
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE28
, 5F110EE36
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG12
, 5F110GG13
, 5F110GG24
, 5F110GG25
, 5F110GG32
, 5F110GG34
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110GG51
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ12
, 5F110HJ23
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
特開平1-186675
-
特開平2-166276
-
特開平2-311394
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-042612
Applicant:株式会社東芝
-
半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-142315
Applicant:株式会社日立製作所
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