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J-GLOBAL ID：200903079054250240

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 飯島 匡 ,  須黒 恭一 ,  小野 寿子 ,  赤坂 泰志 ,  中村 新一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995042612
Publication number (International publication number)：1996139092
Application date： Feb. 08, 1995
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【目的】 バリアメタル層のバリア性を向上させることができ、素子特性の向上や配線の信頼性向上等をはかり得る半導体装置を提供すること。【構成】 半導体基板11上に形成されたSiO2 膜12の溝にCuの埋込み配線15が形成された半導体装置において、Cu配線15の底面及び側面に、TiとSiとNの3元化合物からなるバリアメタル層14を形成し、且つこのバリアメタル層14におけるSiの組成比をTiの組成比よりも大きくしたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

電極又は配線層の少なくとも底面に高融点金属とシリコンと窒素からなる3元化合物のバリアメタル層を設け、且つこのバリアメタル層におけるシリコンの組成比を高融点金属の組成比よりも大きくしてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

FI (2)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

• 特開平2-026052
  
• 特開平2-026052
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-287775   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-237987   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭62-111466
  
• 特開昭62-111466
  
• シリサイドの成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-147812   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-191847   Applicant：日本電信電話株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-035913   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-154642   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体デバイスのバリアメタル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-085545   Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社