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J-GLOBAL ID：200903024977927791

電界効果トランジスタ

Inventor：
長原 正樹

About 長原 正樹


Applicant, Patent owner：
富士通カンタムデバイス株式会社

About 富士通カンタムデバイス株式会社


Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999068013
Publication number (International publication number)：2000269480
Application date： Mar. 15, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：
【要約】【課題】 電気的特性が優れ,かつゲートリーク電流の小さなエンハンスメント型電界効果トランジスタ(とくにHEMT)を提供する。【解決手段】 Al含有量が0.5モル比未満の化合物半導体からなる電子供給層4上に,Al含有量が0.5モル比を超える化合物半導体からなるショットキ層5を積層し,その上にゲート電極8を形成する。エンハンスメント動作をさせるためにショットキ層5を薄くしても,ショットキ層5の禁制帯幅が広いためゲートリーク電流が少ない。一方,電子供給層4のAl含有量は少ないため,電子走行層3と電子供給層4の界面の結晶性がよく,トランジスタ特性は劣化しない。
Claim (excerpt)：
電子走行層と,該電子走行層上に順次堆積されたn型Al含有化合物半導体層からなる電子供給層及びAl含有化合物半導体層からなるショットキ層と,該ショットキ層上に設けられたゲート電極とを有する電界効果トランジスタであって,該電子供給層のAl組成比が0.5モル比未満であり,該ショットキ層のAl組成比が0.5モル比以上であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
F-Term (18)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK06 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102GM06 ,  5F102GM07 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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