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J-GLOBAL ID：200903005255545164

電界効果トランジスタ

Inventor： 孝谷 卓哉 ,  小原 輝昭
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー ,  科学技術振興事業団
Agent (2)： 恩田 博宣 ,  恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997334453
Publication number (International publication number)：1999168207
Application date： Dec. 04, 1997
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】新規な構成にてゲート電極とゲートコンタクト層界面のショットキー障壁高さを大きくし、ゲートリーク電流を低減できる電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】InP基板1上に、i型In0.53Ga0.47Asチャネル層3と、n型In0.52Al0.48Asドープ層5と、膜厚20nmのi型In0.2 Al0.8 Asゲートコンタクト層6と、n型In0.53Ga0.47Asオーミックコンタクト層7とが積層され、オーミックコンタクト層7に、底面がゲートコンタクト層6に達するリセス8が形成されている。リセス8内のゲートコンタクト層6にゲート電極9がショットキー接触している。ソース・ドレイン電極10,11がオーミックコンタクト層7にオーミック接触している。

Claim (excerpt)：

InP基板上に、少なくとも、電子がキャリアとして移動するチャネル層と、該チャネル層に電子を供給するn型の不純物がドープされた電子供給層と、ゲート電極がショットキー接触するInAlAs系材料よりなるゲートコンタクト層とがヘテロ接合にて積層された構造をなす電界効果トランジスタであって、前記ゲートコンタクト層として、In<SB>X </SB>Al<SB>1-X </SB>Asの組成を、0<X<0.52としたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 特開平3-003338
  
• ヘテロ接合を有する化合物半導体基板およびそれを用いた電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-288765   Applicant：日本電装株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-102233   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平3-003338
  
• 特開平4-298050
  
• 特開平4-241430
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-291502   Applicant：株式会社デンソー
• 高電子移動度トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-011974   Applicant：日立電線株式会社
• ヘテロ接合FET
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-200945   Applicant：三菱電機株式会社