サーモパイル型赤外線センサ及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：瀧野秀雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000078021
Publication number (International publication number)：2000340848
Application date： Mar. 21, 2000
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】出力電圧-ジョンソンノイズのS/N比が向上し、平坦で強固なメンブレン構造で形成され、赤外線吸収特性や製造時の歩留りが改善された安価なサーモパイル型赤外線センサ及びその製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】単結晶シリコン基板1の空洞部を覆う絶縁膜2a上に、チップ中心近傍の同心円上とその外側の複数の同心円上の位置からチップ周縁方向に放射状に延在させたn型多結晶シリコン層31 〜33 が互いに噛み合うように配置され、これら多結晶シリコン層と絶縁膜2aとを覆う絶縁膜4に形成した開口部15を介して多結晶シリコン層31 〜33 と接触する金属薄膜層71 〜73 が設けて、多結晶シリコン層と金属薄膜層との接触による温接点部Taと冷接点部Tbとを形成して、絶縁膜2a上に直列接続した熱電素子列を形成したサーモパイル型赤外線センサである。

Claim (excerpt)：

空洞部を有する単結晶シリコン基板に熱電素子を形成したサーモパイル型赤外線センサに於いて、前記空洞部を覆う第1の絶縁膜上に、チップ中心近傍から放射状に延在した複数のn型多結晶シリコン層を配置し、前記n型多結晶シリコン層と金属薄膜層との接触によって、チップ中心側に温接点部を、その周縁側に冷接点部をそれぞれ形成し、前記温接点部と隣接する前記n型多結晶シリコン層の冷接点部とを前記金属薄膜層で交互に接続して、前記第1の絶縁膜上に直列接続した熱電素子列を少なくとも一つ形成したことを特徴とするサーモパイル型赤外線センサ。

IPC (5)：

H01L 35/32 , G01J 1/02 , G01J 5/02 , H01L 35/14 , H01L 35/34

FI (5)：

H01L 35/32 A , G01J 1/02 C , G01J 5/02 B , H01L 35/14 , H01L 35/34

F-Term (14)：

2G065AB02 , 2G065BA11 , 2G065BA12 , 2G065BA14 , 2G065BA36 , 2G065BA37 , 2G065BA38 , 2G065BB26 , 2G065CA12 , 2G065DA20 , 2G066BA08 , 2G066BA09 , 2G066BA55 , 2G066BB07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

赤外線検知素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-071923 Applicant：日産自動車株式会社
特開平2-164031
特開平1-227929

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