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J-GLOBAL ID：200903025002232845

磁気抵抗効果素子

Inventor： 柚須 圭一郎 ,  猪俣 浩一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994216181
Publication number (International publication number)：1996083938
Application date： Sep. 09, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】 比較的大きな磁気抵抗変化率が得られると共に、飽和磁界が小さく、かつ大きな電気抵抗を示す磁気抵抗効果素子を提供する。【構成】 磁性体層と半導体層とを交互に積み重ねた積層膜を有する磁気抵抗効果素子である。非磁性中間層として用いられる半導体層は、例えば実効的エネルギーギャップが 0.1eV以下のものである。

Claim (excerpt)：

磁性体層と半導体層とを交互に積み重ねた積層膜を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 10/30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁性多層膜および磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-361376   Applicant：ティーディーケイ株式会社