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J-GLOBAL ID：200903025053692468

マスクレスフォトリソグラフィシステム

Inventor：
イシカワ、 アキラ

About イシカワ、 アキラ


Applicant, Patent owner：
ボール セミコンダクター インコーポレイテッド

About ボール セミコンダクター インコーポレイテッド


Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000559486
Publication number (International publication number)：2002520840
Application date： Jul. 08, 1999
Publication date： Jul. 09, 2002
Summary：
【要約】フォトレジストを塗布した対象物に所望のマスクパターンのフォトリソグラフィを行う際に用いるマスクレスフォトリソグラフィシステムが、平行光ビームを投影する光源32、第1レンズ系34、パターン・ジェネレータ38を含む。所定のマスクパターン情報を受信するとパターン・ジェネレータ38は、フォトレジストを塗布した対象物に結像すべき駐留マスクパターンをそこに生成する。所望のマスクパターンに対応する所定のマスクパターン情報をパターン・ジェネレータ38に出力するマスクパターン設計システムが設けられる。マスクレスフォトリソグラフィシステムは更に第2レンズ系40と対象物ステージ44を含む。対象物ステージ44はフォトリソグラフィ露光中にその上に対象物を受けるために設けられ、光源32からの光が第1レンズ系34を通って第1レンズ系34からパターン・ジェネレータ38に向けられ、所望のマスクパターンでパターン・ジェネレータ38から第2レンズ系40内に進み、最後にフォトレジストを塗布した対象物に進む。
Claim (excerpt)：
フォトレジストを塗布した対象物上にマスクレスフォトリソグラフィを行うための方法であって、 第1レンズ系を介して、パターン・ジェネレータに平行化された光ビームを投影するステップと、 マスクパターン情報を前記パターン・ジェネレータが入力するステップと、 前記マスクパターン情報に従って、所望のマスクパターンを生成するステップと、 前記所望のマスクパターンに従って、前記平行化された光ビームをマスクするステップとを備え、 フォトリソグラフィ露光中、対象物ステージがマスクされた光ビームをその上に受けることを特徴とする方法。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/24
FI (3)：
G03F 7/20 521 ,  G03F 7/24 H ,  H01L 21/30 519
F-Term (6)：
5F046BA03 ,  5F046BA06 ,  5F046CB02 ,  5F046CB18 ,  5F046CB24 ,  5F046DD06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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