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J-GLOBAL ID：200903025060586029

バイポーラトランジスタ

Inventor：
柳原 学

About 柳原 学


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (11)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006185794
Publication number (International publication number)：2008016615
Application date： Jul. 05, 2006
Publication date： Jan. 24, 2008
Summary：
【課題】2次元正孔ガス層をp型ベースとし且つ窒化物系半導体からなり高速に動作するバイポーラトランジスタを実現できるようにする。【解決手段】バイポーラトランジスタは、窒化物半導体からなる第1の半導体層14を含むエミッタ層と、第1の半導体層14と比べてバンドギャップが小さい窒化物半導体からなり且つ第1の半導体層14と接して形成された第2の半導体層15を含むベース層と、第2の半導体層15における第1の半導体層14とは反対側の面と接して形成された窒化物半導体からなる第3の半導体層16を含むコレクタ層とを備えている。第2の半導体層15における第1の半導体層15と第2の半導体層14との界面領域には、2次元正孔ガス層が発生し、ベース層の一部と接するように選択的に形成されたベース電極19は、2次元正孔ガス層とオーミック接続している。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1の窒化物半導体層を含むエミッタ層と、 前記第1の窒化物半導体層と比べてバンドギャップが小さく且つ前記第1の窒化物半導体層と接して形成された第2の窒化物半導体層を含むベース層と、 前記第2の窒化物半導体層における前記第1の窒化物半導体層とは反対側の面と接して形成された第3の窒化物半導体層を含むコレクタ層と、 前記第2の窒化物半導体層における前記第1の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層との界面領域に発生する2次元正孔ガス層と、 前記ベース層の一部と接するように選択的に形成され、前記2次元正孔ガス層とオーミック接続したベース電極とを備えていることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (4)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/88 ,  H01L 29/68
FI (3)：
H01L29/72 H ,  H01L29/88 F ,  H01L29/68
F-Term (19)：
5F003AZ01 ,  5F003BA92 ,  5F003BB04 ,  5F003BB08 ,  5F003BB90 ,  5F003BC01 ,  5F003BC08 ,  5F003BC90 ,  5F003BE01 ,  5F003BE04 ,  5F003BE08 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BJ12 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BN02 ,  5F003BN06 ,  5F003BP31
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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