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J-GLOBAL ID：200903025064055907

半導体装置の製造方法

Inventor：
前田 喜世彦

About 前田 喜世彦


Applicant, Patent owner：
株式会社日立国際電気

About 株式会社日立国際電気


Agent (3)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004082486
Publication number (International publication number)：2005268699
Application date： Mar. 22, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：
【課題】 低温成膜でも、リーク電流等の膜特性が良好で、所望の膜質を得るようにする。【解決手段】 ボート217を上昇して、チューブ204、205の処理室201内に複数のウェハ200を搬入する。ガス導入管241a〜241cから処理室201内に複数種の処理ガスGAS1〜GAS3を供給してウェハ200を処理する。処理室201よりボート217を降下して処理後のウェハ200を搬出する。ウェハ200を処理する工程では、処理ガスGAS1〜GAS3を用いる。GAS1はシリコン原子を含むガス、例えばHCDである。GAS2は窒素を含むガス、例えばNH3である。GAS3はカーボン原子を含むガス、例えばC2H2である。ウェハ200に対して少なくともシリコン原子を含むガスと、カーボン原子を含むガスとを供給して、ウェハ200にカーボン原子を含むシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、またはシリコン酸窒化膜を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
処理室内に基板を搬入する工程と、 処理室内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、 処理室より処理後の基板を搬出する工程とを有し、 前記基板を処理する工程では、基板に対して少なくともシリコン原子を含むガスとカーボン原子を含むガスとを供給して、基板上にカーボン原子を含むシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、またはシリコン酸窒化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L21/318 ,  C23C16/42
FI (2)：
H01L21/318 B ,  C23C16/42
F-Term (27)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BC11 ,  5F058BC12 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF26 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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