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J-GLOBAL ID：200903025101571430

誘電体磁器組成物の製造方法と誘電体層含有電子部品の製造方法

Inventor：
野村 武史

About 野村 武史

, 
佐藤 茂樹

About 佐藤 茂樹


Applicant, Patent owner：
ティーディーケイ株式会社

About ティーディーケイ株式会社


Agent (1)： 前田 均 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000048556
Publication number (International publication number)：2000311828
Application date： Feb. 25, 2000
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：
【要約】【課題】 誘電体層厚みが、たとえば4μm以下という超薄層の場合においても、容量の温度特性であるX7R特性(EIA規格)およびB特性(EIAJ規格)をいずれも満足することができ、かつ、直流電界下での容量の経時変化が小さく、絶縁抵抗の加速寿命が長く、また、直流バイアス下の容量低下が小さい積層型セラミックコンデンサを得るための製造方法を提供すること。【解決手段】 主成分であるBaTiO3 と、(Ba,Ca)x SiO2+x (ただし、x=0.8〜1.2)で表される第2副成分と、その他の副成分とを少なくとも有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記第2副成分を除いて、前記主成分と、その他の副成分のうちの少なくとも一部とを混合し、仮焼前粉体を準備する工程と、前記仮焼前粉体を仮焼きして仮焼済粉体を準備する工程と、前記仮焼済粉体に、前記第2副成分を少なくとも混合し、主成分であるBaTiO3 に対する各副成分の比率が所定モル比である誘電体磁器組成物を得る工程とを有する製造方法。
Claim (excerpt)：
組成式Bam TiO2+n で表され、前記組成式中のmが0.995≦m≦1.010であり、nが0.995≦n≦1.010であり、BaとTiとの比が0.995≦Ba/Ti≦1.010である主成分と、酸化シリコンを主成分として含む焼結助剤である第2副成分と、その他の副成分とを少なくとも有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記第2副成分を除いて、前記主成分と、その他の副成分のうちの少なくとも一部とを混合し、仮焼前粉体を準備する工程と、前記仮焼前粉体を仮焼きして仮焼済粉体を準備する工程と、前記仮焼済粉体に、前記第2副成分を少なくとも混合し、前記主成分に対する各副成分の比率が所定モル比である誘電体磁器組成物を得る工程と、を有する誘電体磁器組成物の製造方法。
IPC (2)：
H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364
FI (2)：
H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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