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J-GLOBAL ID：200903025112620085

電極形成方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器

Inventor： 原田 光明 ,  川瀬 健夫 ,  木村 里至 ,  降旗 栄道
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (2)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003390000
Publication number (International publication number)：2005146400
Application date： Nov. 19, 2003
Publication date： Jun. 09, 2005
Summary：

【課題】接触する有機層の特性が低下するのを防止し得る電極を、簡易な方法で形成することができる電極形成方法、かかる電極形成方法により形成された電極を備え、特性に優れる薄膜トランジスタ、および、この薄膜トランジスタを備える薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の電極形成方法は、主として有機材料で構成される有機層に接触する電極を形成する電極形成方法であり、前記電極を形成するための金属の金属塩と、還元剤とを含み、アルカリ金属イオンを実質的に含まないメッキ液を用いて、無電解メッキにより電極を形成することを特徴とする。還元剤としては、ヒドラジンおよび次亜燐酸アンモニウムの少なくとも一方を主成分とするもの、また、pH調整剤としては、アンモニア水、トリメチルアンモニウムハイドライドおよび硫化アンモニウムのうちの少なくとも1種を主成分とするものが好ましい。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

主として有機材料で構成される有機層に接触する電極を形成する電極形成方法であって、 前記電極を形成するための金属の金属塩と還元剤とを含み、アルカリ金属イオンを実質的に含まないメッキ液を用いて、無電解メッキにより前記電極を形成することを特徴とする電極形成方法。

IPC (6)：

C23C18/16 ,  C23C18/31 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (6)：

C23C18/16 A ,  C23C18/31 A ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/288 E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616K

F-Term (67)：

4K022AA13 ,  4K022AA25 ,  4K022AA42 ,  4K022BA02 ,  4K022BA03 ,  4K022BA07 ,  4K022BA14 ,  4K022BA18 ,  4K022BA22 ,  4K022BA31 ,  4K022BA33 ,  4K022BA34 ,  4K022CA04 ,  4K022CA07 ,  4K022CA27 ,  4K022DA01 ,  4K022DB04 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD53 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110HK41 ,  5F110HK42

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 有機薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-215748   Applicant：旭化成工業株式会社