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J-GLOBAL ID：200903025164341133

半導体発光装置

Inventor：
下山 謙司

About 下山 謙司

, 
清見 和正

About 清見 和正


Applicant, Patent owner：
三菱化学株式会社

About 三菱化学株式会社


Agent (1)： 釜田 淳爾 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999139579
Publication number (International publication number)：2000332359
Application date： May. 20, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 第1導電型光ガイド層のAl含有量を高めずにエッチングを第1導電型光ガイド層で止めることができる材料組成を見出すことにより、所望のリッジ構造を有する高性能な半導体発光装置を提供すること。【解決手段】 基板、該基板上に形成された第1導電型光ガイド層、端面近傍を除く前記第1導電型光ガイド層上に形成された少なくとも活性層と第2導電型クラッド層を含むリッジ構造、前記リッジ構造の側面および前記リッジ構造が形成されていない前記第1導電型光ガイド層上に形成された電流ブロック層を有する半導体発光装置であって、前記第1導電型光ガイド層の組成がXAs1-xPx(Xは一種類以上のIII族元素)であり、前記活性層の組成がYAs1-yPy(Yは一種類以上のIII族元素)であって、下式(1):0.2≦|x-y|≦1 (1)を満足することを特徴とする半導体発光装置。
Claim (excerpt)：
基板、該基板上に形成された第1導電型光ガイド層、端面近傍を除く前記第1導電型光ガイド層上に形成された少なくとも活性層と第2導電型クラッド層を含むリッジ構造、前記リッジ構造の側面および前記リッジ構造が形成されていない前記第1導電型光ガイド層上に形成された電流ブロック層を有する半導体発光装置であって、前記第1導電型光ガイド層の組成がXAs1-xPx(Xは一種類以上のIII族元素)であり、前記活性層の組成がYAs1-yPy(Yは一種類以上のIII族元素)であって、下式(1):0.2≦|x-y|≦1 (1)を満足することを特徴とする半導体発光装置。
IPC (3)：
H01S 5/227 ,  H01S 5/16 ,  H01S 5/343
FI (3)：
H01S 5/227 ,  H01S 5/16 ,  H01S 5/343
F-Term (15)：
5F073AA26 ,  5F073AA44 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA86 ,  5F073CA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CA13 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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