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J-GLOBAL ID：200903025204935856

半導体装置の製造方法及びそれを実施するための装置

Inventor： 小寺 雅子 ,  重田 厚 ,  三島 志朗 ,  矢島 比呂海 ,  青木 利一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994150161
Publication number (International publication number)：1996017768
Application date： Jun. 30, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 自動で研磨後の被ポリッシング膜の膜厚を測定すると共に最適なポリッシング時間を設定し、被ポリッシング膜を良好に平坦化することができる半導体装置の製造方法及びその方法を実施するための装置を提供する。【構成】 ウェハ10をポリッシングした後、光学センサ31の上方にウェハ10を吸着した状態でウェハホルダ23に移動し、光学センサ31よりウェハ10の被ポリッシング膜に例えば可視光線を照射して測定する。それにより得られた膜厚の実測値をもとに、制御部40にて次にポリッシングするウェハのポリッシング時間を設定する。

Claim (excerpt)：

段差形状の被ポリッシング膜を有する第1及び第2のウェハを準備する工程と、上記第1のウェハの被ポリッシング膜をポリッシングして平坦化する工程と、上記第1のウェハの被ポリッシング膜の膜厚を測定する工程と、上記測定された値に応じて上記第2のウェハのポリッシング時間を設定する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306

FI (2)：

H01L 21/306 M ,  H01L 21/306 U

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭63-185574
  
• 特開平4-075337
  
• 膜厚の測定方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-088412   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-234468
  
• 特開平4-334025
  
• 特開平2-185367