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J-GLOBAL ID：200903025218319422

イオン化スパッタ装置

Inventor：
佐々木 雅夫

About 佐々木 雅夫

, 
船戸 清彦

About 船戸 清彦


Applicant, Patent owner：
キヤノンアネルバ株式会社

About キヤノンアネルバ株式会社


Agent (1)： 保立 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007101174
Publication number (International publication number)：2007197840
Application date： Apr. 06, 2007
Publication date： Aug. 09, 2007
Summary：
【課題】 イオン化スパッタによって高アスペクト比のホールに対してボトムカバレッジ率の良い成膜を行うとともに、スパッタチャンバー内外の構成を簡略化する。【解決手段】 排気系11を備えたスパッタチャンバー1内に設けられたターゲット2をスパッタ電源3によってスパッタし、放出されたスパッタ粒子を基板50に到達させて成膜する。スパッタ電源3は5W/cm2 以上の電力をターゲット2に投入し、この電力のみで形成されたプラズマP中でスパッタ粒子がイオン化する。ターゲット2と基板ホルダー5との間には円筒状のシールド6が設けられてプラズマ形成空間を規制し、電界設定手段8がイオン化したスパッタ粒子をプラズマP中から引き出して基板50に入射させるための電界を設定する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に設けられたターゲットと、スパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入手段と、導入されたガスにスパッタ放電を生じさせプラズマを形成して前記ターゲットをスパッタする電力を与えるスパッタ電源と、スパッタによって前記ターゲットから放出されたスパッタ粒子が入射する位置に基板を保持する基板ホルダーとを備えたイオン化スパッタ装置であって、 前記ターゲット以外には前記スパッタ粒子をイオン化するための電力が与えられる電極は設けられておらず、前記スパッタ電源は、前記スパッタ放電によって形成されたプラズマ中で前記スパッタ粒子をイオン化できるよう構成されていることを特徴とするイオン化スパッタ装置。
IPC (2)：
C23C 14/34 ,  H01L 21/285
FI (3)：
C23C14/34 T ,  C23C14/34 B ,  H01L21/285 S
F-Term (25)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA17 ,  4K029BA60 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029CA13 ,  4K029DC03 ,  4K029DC12 ,  4K029DC20 ,  4K029DC35 ,  4K029DC40 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104DD36 ,  4M104DD39 ,  4M104DD40 ,  4M104DD42 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH13
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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