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J-GLOBAL ID:200903025223102288
薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999263263
Publication number (International publication number):2001085711
Application date: Sep. 17, 1999
Publication date: Mar. 30, 2001
Summary:
【要約】【課題】 透明絶縁基板に直接素子が形成された基板一体型薄膜太陽電池モジュールの集積の終端に位置するバス領域と他の部分の接続を光入射面からの外観を損ねることなく実現する【解決手段】 バス領域の上に設置する銅箔リード等の良導体との接続を、裏面電極と半導体層を離散的に除去し設置した開孔で行うと共に、その部分に用いる半田あるいは導電ペースト等の溶融性導電剤の色調を半導体層と透明電極層で発現する色調と類似になる様に調整する。
Claim (excerpt):
透明絶縁基板上に、透明電極層、光起電力薄膜半導体層、裏面電極層を含む層が順次形成され、複数個の領域に分割されてなされる光起電力素子が電気的に接続され、その接続の終端として電力を取り出すバス領域とそのバス領域の電力収集をするための金属線あるいは金属リボンからなる良導体とを有する薄膜太陽電池モジュールであって、バス領域と該良導体との接続を、バス領域の幅側の中央部に長手方向に離散的に配置され透明電極層が露呈するように光起電力薄膜半導体層または/及び裏面電極層を除去した開孔と、その開孔を充填し、バス領域と良導体を機械的かつ電気的に接続する接着性導体とでおこなうことを特徴とする薄膜太陽電池モジュール。
F-Term (11):
5F051AA05
, 5F051BA03
, 5F051CB27
, 5F051FA06
, 5F051FA10
, 5F051FA11
, 5F051FA14
, 5F051FA15
, 5F051FA16
, 5F051FA17
, 5F051FA30
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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集積化薄膜太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-236588
Applicant:鐘淵化学工業株式会社
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薄膜太陽電池の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-076763
Applicant:富士電機株式会社
-
薄膜太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-332896
Applicant:富士電機株式会社
-
半導体装置及び該製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-087409
Applicant:鐘淵化学工業株式会社
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