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J-GLOBAL ID：200903025245383981
薄膜半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997026184
Publication number (International publication number)：1998209467
Application date： Jan. 24, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ボトムゲート型の薄膜トランジスタの活性層となる半導体薄膜のレーザアニールによる再結晶化処理を均一化及び最適化する。【解決手段】 薄膜半導体装置は薄膜トランジスタ3を絶縁基板1に集積形成したものである。薄膜トランジスタ3は下から順にゲート電極5、絶縁膜4及び半導体薄膜2を積層したボトムゲート構造となっている。ゲート電極5は比較的熱伝導度が低く且つコンタクトを取る為に必要な導電性を備えた上層5aと、比較的熱伝導度が高く且つ配線として必要な導電性を備えた下層5bとを重ねた多層構造を有する。半導体薄膜2は絶縁膜4を介してゲート電極5及び絶縁基板1の上に延在した状態でエネルギー照射を受け、均一且つ最適に再結晶化された多結晶構造を呈する。場合によっては、絶縁基板1の表面に、平面的に見てゲート電極5と隣接する様に熱伝導性の下地膜を形成し、絶縁基板1表面の熱伝導状態を一様化してもよい。
Claim (excerpt)：
下から順にゲート電極、絶縁膜及び半導体薄膜を積層したボトムゲート構造の薄膜トランジスタを絶縁基板上に集積形成した薄膜半導体装置であって、前記ゲート電極は、少くとも比較的熱伝導度が低く且つコンタクトを取る為に必要な導電性を備えた上層と、比較的熱伝導度が高く且つ配線として必要な導電性を備えた下層とを重ねた多層構造を有し、前記半導体薄膜は、該絶縁膜を介して該ゲート電極及び該絶縁基板の上に延在した状態でエネルギー照射により再結晶化された多結晶構造を有することを特徴とする薄膜半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 21/336
H01L 29/78 617 L
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 29/78 612 D
, H01L 29/78 617 K
, H01L 29/78 617 J
, H01L 29/78 627 G
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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