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J-GLOBAL ID：200903049937887480
半導体装置の配線構造および表示素子用トランジスタアレイ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994164648
Publication number (International publication number)：1996008255
Application date： Jun. 22, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 抵抗値が低くかつ耐薬品性を有する半導体装置の配線構造およびその配線構造を備えた表示素子用トランジスタアレイを提供すること。【構成】 配線1を、少なくともAlを主成分とする材料からなり、かつ基体2の表面に連続状態で形成した第1パターン1aと、低抵抗半導体または金属からなるものであって、上記第1パターン1aを覆いかつ連続する状態で基体2上に形成した第2パターン1bとからなる構造にする。この配線構造では、第1パターン1aが第2パターン1bに覆われているので、ヒロックが発生せず、かつ薬品に耐性のあるものになる。また第1パターン1aの材料によって、低抵抗の配線1になる。
Claim (excerpt)：
少なくともアルミニウムを主成分とする材料からなり、かつ基体の表面に連続または不連続な状態に形成した第1パターンと、低抵抗半導体または金属からなるものであって、前記第1パターンを覆いかつ連続する状態で前記基体上に形成した第2パターンとからなることを特徴とする半導体装置の配線構造。
IPC (3)：
H01L 21/3205
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
H01L 21/88 N
, H01L 29/78 311 A
Cited by examiner (6)
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