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J-GLOBAL ID:200903025290283289

ダイヤモンドの選択形成法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 福村 直樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992347201
Publication number (International publication number):1994191992
Application date: Dec. 25, 1992
Publication date: Jul. 12, 1994
Summary:
【要約】【目的】 この発明は、高性能な半導体デバイスや光導波路等の電子機器をはじめとする広い分野に好適である、微細なパターンのダイヤモンドを容易にかつ簡便に、しかも所望の形状に再現性よく製造することができる、ダイヤモンドの選択形成法を提供することを目的とする。【構成】 前記目的を達成するためのこの発明は、基板の表面におけるダイヤモンドを形成すべき部分にDLCによるパターンを形成し、前記基板を熱処理した後、気相法により前記基板の表面にダイヤモンドを形成することを特徴とするダイヤモンドの選択形成法である。
Claim (excerpt):
基板の表面におけるダイヤモンドを形成すべき部分にダイヤモンド状炭素によるパターンを形成し、前記基板を熱処理した後、気相法により前記基板の表面にダイヤモンドを形成することを特徴とするダイヤモンドの選択形成法。
IPC (3):
C30B 29/04 ,  C23C 16/26 ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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