Pat
J-GLOBAL ID：200903025294155340
窒化物半導体発光素子およびその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
大前 要
, 板東 義文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005329064
Publication number (International publication number)：2006190980
Application date： Nov. 14, 2005
Publication date： Jul. 20, 2006
Summary：
【課題】本発明の目的は、窒化物半導体基板上に窒化物半導体発光素子構造を有する層を積層する際に生じる、層厚の不均一性、表面の平坦性欠如を、クラックを抑制しつつこれらを改善することである。【解決手段】本発明にかかる窒化物半導体発光素子の製造方法においては、まず、ストライプ状の溝部17が形成された窒化物半導体基板を用意する。溝部17に、基板表面に対して53.5度以上63.4度以下の傾きを有する結晶面16ができるように、溝部17の側壁を含む窒化物半導体基板10上に、窒化物半導体からなる下地層21を形成する。下地層21の上に、Alを含む下部クラッド層と、活性層と、Alを含む上部クラッド層からなる発光素子構造11を形成する。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
ストライプ状の溝部が形成された窒化物半導体基板を用意する工程と、
前記溝部に、前記基板表面に対して53.5度以上63.4度以下の傾きを有する結晶面ができるように、前記溝部の側壁を含む前記窒化物半導体基板上に、窒化物半導体からなる下地層を形成する工程と、
前記下地層の上に、Alを含む下部クラッド層と、活性層と、Alを含む上部クラッド層を順次形成する工程とを具備することを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (11)：
5F173AA05
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AH22
, 5F173AP33
, 5F173AP38
, 5F173AP92
, 5F173AQ01
, 5F173AR82
, 5F173AR92
, 5F173AR93
Cited by applicant (3)
-
窒化物半導体発光素子とその製法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-038228
Applicant：シャープ株式会社
-
窒化物半導体のための電極構造及びその作製方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-010022
Applicant：シャープ株式会社
-
GaN系半導体レーザ素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-378179
Applicant：ソニー株式会社
Cited by examiner (2)
Return to Previous Page
