窒化物半導体のための電極構造及びその作製方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (3)：佐野静夫 , 山田茂樹 , 小寺淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003010022
Publication number (International publication number)：2004221493
Application date： Jan. 17, 2003
Publication date： Aug. 05, 2004
Summary：

【課題】n型窒化物半導体のための電極であって、経時的特性に優れかつ機械的強度の高い良好なオーミック電極を提供する。【解決手段】n型GaNコンタクト層(102)に対して、コンタクト層表面からTi層、Al層、Mo層、Pt層、Au層を順次積層して電極構造(112)を作製する。従来n型電極としてよく用いられているTi層、Al層、Mo層、Au層の積層構造に比べ、Pt層を挿入したことにより、Au層の剥がれが抑えられる。また、Au層のコンタクト層側への拡散をほぼ完全に抑止することができて、電極の特性が経時的に劣化するのが防止される。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

n型不純物を含むIII族窒化物半導体のための電極構造であって、 Hf、Ti、Sc、Y、LaおよびZrのうち少なくとも1種類を含む第1の層と、 Mo、Cr、W、ZrおよびTaのうち少なくとも1種類を含む第2の層と、 Pt、CrおよびZrのうち少なくとも1種類からなる第3の層と、 AuおよびAlのいずれかを含む第4の層をこの順に窒化物半導体側から含むことを特徴とする電極構造。

IPC (2)：

H01S5/042 , H01S5/343

FI (2)：

H01S5/042 612 , H01S5/343 610

F-Term (11)：

5F073AA04 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB10 , 5F073CB22 , 5F073CB23 , 5F073EA29 , 5F073FA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

窒化物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-330508 Applicant：日亜化学工業株式会社
n型窒化ガリウム系半導体のコンタクト電極及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-004403 Applicant：日本電気株式会社
窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-038195 Applicant：日亜化学工業株式会社

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