酸化亜鉛薄膜の製造方法、半導体素子基板の製造方法及び光起電力素子の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：丸島儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997337075
Publication number (International publication number)：1999217692
Application date： Dec. 08, 1997
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】電析による酸化亜鉛薄膜の形成を安定化し、かつ基板密着性に優れ、結晶粒の異常成長を抑制した製造方法を提供する。特に、光起電力素子の光閉じ込め層に適用するのに好適な酸化亜鉛薄膜とする。【解決手段】少なくとも硝酸イオン及び亜鉛イオンを含有してなる水溶液に浸漬された導電性基板と、該溶液中に浸漬された電極との間に通電し、同時に前記導電性基板を振動させることにより、酸化亜鉛薄膜を前記導電性基体上に形成することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

少なくとも硝酸イオン及び亜鉛イオンを含有してなる水溶液に浸漬された導電性基板と、該溶液中に浸漬された電極との間に通電し、同時に前記導電性基板を振動させることにより、酸化亜鉛薄膜を前記導電性基体上に形成することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。

IPC (2)：

C25D 9/04 , H01L 31/04

FI (2)：

C25D 9/04 , H01L 31/04 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

酸化亜鉛膜作製用電解液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-023775 Applicant：大阪市, 奥野製薬工業株式会社
特開平3-260087
電気めっき方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-062546 Applicant：新日本製鐵株式会社

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