光起電力素子の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：丸島儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997345135
Publication number (International publication number)：1998229212
Application date： Dec. 15, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】光起電力素子の光閉じ込め層に適用するのに好適な凹凸を有する酸化亜鉛層を電析によって形成する。【解決手段】少なくとも硝酸イオン及び亜鉛イオンを含有してなる水溶液に浸漬された導電性基体と、該溶液中に浸漬された電極との間に通電することにより、酸化亜鉛層を前記導電性基体上に形成する工程と、該酸化亜鉛層をエッチングする工程と、半導体層を形成する工程を有する製造方法とする。特に該酸化亜鉛層を、条件を変えて作成した2層構造とする。また、第1の酸化亜鉛層を形成し、エッチングした後、第2の酸化亜鉛層を形成する。

Claim (excerpt)：

少なくとも硝酸イオン及び亜鉛イオンを含有してなる第1の水溶液に浸漬された導電性基体と、該溶液中に浸漬された電極との間に通電することにより、第1の酸化亜鉛層を前記導電性基体上に形成する工程と、該第1の酸化亜鉛層をエッチングする工程と、半導体層を形成する工程を有することを特徴とする光起電力素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 31/04 , C25D 9/08 , H01L 21/3063

FI (3)：

H01L 31/04 M , C25D 9/08 , H01L 21/306 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

光起電力素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-020052 Applicant：キヤノン株式会社
酸化亜鉛膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-067394 Applicant：大阪市, 奥野製薬工業株式会社
薄膜半導体太陽電池の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-289138 Applicant：キヤノン株式会社

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