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J-GLOBAL ID：200903025354558830

クラスレート化合物と高効率熱電材料およびその製造方法と高効率熱電材料を用いた熱電モジュール

Inventor： 江口 晴樹 ,  小島 正男 ,  鈴木 章彦 ,  田中 徹 ,  円谷 和雄
Applicant, Patent owner： 石川島播磨重工業株式会社 ,  円谷 和雄
Agent (1)： 志賀 正武 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001081371
Publication number (International publication number)：2002274831
Application date： Mar. 21, 2001
Publication date： Sep. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、熱伝導率が高く、性能係数が高く、高効率熱電材料に適用が期待されるクラスレート化合物を提供することを目的の1つとする。【解決手段】 本発明は、Siの原子を主体としてなるクラスレート格子と、該クラスレート格子の格子間隙の少なくとも一部に内包されたドーピング原子としてのBaと、前記クラスレート格子を構成する原子の少なくとも一部と置換された置換原子としてのAlを主体としてなり、一般式Bax1@(Six2,Alx3)で示され、前記SiとAlの組成比を示すx2とx3について、x2+x3=46の関係を満足するとともに、Ba原子をドーピングさせたことにより生じる過剰電子をキャリアーとすることで目的を達成したものである。

Claim (excerpt)：

Siの原子を主体としてなるクラスレート格子と、該クラスレート格子の格子間隙の少なくとも一部に内包されたドーピング原子としてのBaと、前記クラスレート格子を構成する原子の少なくとも一部と置換された置換原子としてのAlを主体としてなり、一般式Bax1@(Six2,Alx3)で示され、前記SiとAlの組成比を示すx2とx3について、x2+x3=46の関係を満足するとともに、Ba原子をドーピングさせたことにより生じる過剰電子がキャリアーとされたことを特徴とするn型クラスレート化合物。

IPC (5)：

C01B 33/00 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00

FI (5)：

C01B 33/00 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/32 A ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00 A

F-Term (7)：

4G072AA02 ,  4G072AA50 ,  4G072BB16 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072JJ09 ,  4G072UU30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Siクラスレート化合物及びその製造方法、並びに熱電材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-240226   Applicant：財団法人やまぐち産業振興財団