Pat
J-GLOBAL ID:200903025357205652
半導体光変調器およびその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (6):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004062683
Publication number (International publication number):2005250267
Application date: Mar. 05, 2004
Publication date: Sep. 15, 2005
Summary:
【課題】 動作不良が抑制され、また、高速動作に対応可能な半導体光変調器およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体光変調器は、基板1と、基板1上にクラッド層3Bを介して多重量子井戸層2と、多重量子井戸層2上にクラッド層3Aと、基板1上における多重量子井戸層2およびクラッド層3Bからなる積層構造(リッジ4)に対して一方側にP型の半導体層50と、基板1上におけるリッジ4に対して他方側にN型の半導体層70と、クラッド層3A上にクラッド層9と、半導体層50,70上にP型/N型電極10,11とを備える。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
基板と、
前記基板上に多重量子井戸層と、
前記多重量子井戸層上に第1クラッド層と、
前記基板上における前記多重量子井戸層および前記第1クラッド層の積層構造に対して一方側に第1導電型の第1半導体層と、
前記基板上における前記多重量子井戸層および前記第1クラッド層の積層構造に対して他方側に第2導電型の第2半導体層と、
前記第1クラッド層上に第2クラッド層と、
前記第1と第2半導体層上に第1と第2電極とを備えた半導体光変調器。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (7):
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079EA03
, 2H079EB05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
-
特公平6-1304号公報
-
導波形多重量子井戸光制御素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-054517
Applicant:日本電信電話株式会社
-
導波形多重量子井戸光制御素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-048047
Applicant:日本電信電話株式会社
Return to Previous Page