導波形多重量子井戸光制御素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992054517
Publication number (International publication number)：1993259567
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】MQW層に平行な電界を印加して素子容量やスポット径を最適化し、低電圧動作で広帯域をもち、低挿入損失で高性能小形の導波形多重量子井戸光制御素子を得る。【構成】MQWの両側を第3半導体層で挾んで導波構造とし、導波構造を各層に垂直な面内で挾み、互いに異なる導電形になるよう不純物を添加する。

Claim (excerpt)：

第1のバンドギャップをもち障壁層を形成する第1半導体層と、第2のバンドギャップをもち井戸層を形成する第2半導体層とを、交互に積層して形成した多重量子井戸層を有する導波形多重量子井戸光制御素子において、上記多重量子井戸層の両側を上記第1半導体層と同等かそれより小さい屈折率をもつ第3半導体層で挾んで導波構造を形成し、上記導波構造を上記各層に垂直な面内で挾み、互いに一方を他方とその導電形が異なるように不純物を添加して、上記多重量子井戸層に平行に、外部から電圧を印加するようにしたことを特徴とする導波形多重量子井戸光制御素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平2-132415
特開平3-048219
特開平2-019824

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