Pat
J-GLOBAL ID：200903025407087575
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997035078
Publication number (International publication number)：1997320996
Application date： Feb. 19, 1997
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：
【要約】【課題】ダイシングの際に欠け等の発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ダイシング前のシリコンウェハ18におけるダイシング用粘着シートの貼付面に、側壁が斜状のテーパ溝24を形成する。テーパ溝24は異方性エッチングを用いて薄肉部25と同時に形成する。シリコンウェハ18にダイシング用粘着シート26を貼り付けて、テーパ溝24の斜状面にダイシングブレード27の側面がくる位置にて、シリコンウェハ18をダイシングカットして各チップに裁断する。その結果、シリコン基板の一部に、歪みゲージが配置された薄肉部を有する半導体加速度センサが製造される。
Claim (excerpt)：
ダイシング前の半導体ウェハにおけるダイシング用粘着シートの貼付面に、側壁が斜状の溝をダイシングライン上に形成する工程と、前記半導体ウェハにダイシング用粘着シートを貼り付けて、前記溝の斜状面にダイシングブレードの側面がくる位置にて、前記半導体ウェハをダイシングカットして各チップに裁断する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/301
, G01P 15/12
, H01L 29/84
H01L 21/78 M
, G01P 15/12
, H01L 29/84 B
, H01L 21/78 Q
