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J-GLOBAL ID：200903025408054239

半導体パワーモジュール

Inventor： 曽我 太佐男 ,  川瀬 大助 ,  佐々木 康二 ,  森崎 英一 ,  鈴木 和弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (3)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003205321
Publication number (International publication number)：2005056873
Application date： Aug. 01, 2003
Publication date： Mar. 03, 2005
Summary：

【課題】高価なAlNやAl2O3絶縁基板等を用いず、安価なAlやCu等の金属基板を用いて信頼性と熱放散性を向上させ、大型化、高出力化へ対応。【解決手段】充填樹脂15の線膨張係数を半田3以上例えば(24±3)×10-6/°Cとし、ヤング率を1〜12Gpa望ましくは5〜8GPaとすることで、半導体チップ1周辺を半田3に近い物性を有する多少柔らかく、かつ密着力のあるエポキシ系樹脂15で取り囲むことで、チップに大きな応力が作用しないように保護し、チップの素子部、界面剥離破壊を防止し、かつ半田3の寿命を確保する。また、充填樹脂15のガラス転移温度Tgを150°C以上とすることで、2次リフロー等の高温時の充填樹脂の熱膨張による悪影響を抑える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁樹脂層を有する金属基板と、この金属基板の前記絶縁樹脂層に接合した金属製の熱拡散板と、メタライズ面を前記熱拡散板に半田付けされた半導体チップと、これらを収容するケースと、このケース内部に充填された樹脂を備えた半導体パワーモジュールにおいて、前記樹脂の線膨張係数を前記半田の線膨張係数以上とし、前記熱拡散板は、Cuと低膨張材の粉体を混合し焼結した焼結形成体と、この焼結形成体と連なるCu板とを備えたことを特徴とする半導体パワーモジュール。

IPC (4)：

H01L25/07 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18

FI (2)：

H01L25/04 C ,  H01L23/30 R

F-Term (3)：

4M109AA01 ,  4M109CA02 ,  4M109EC04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-278903   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-041857   Applicant：富士電機株式会社