インジウム・リン系高電子移動度トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平田忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996010005
Publication number (International publication number)：1997205196
Application date： Jan. 24, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】従来のインジウム・リン系高電子移動度トランジスタは、ゲート耐圧が低く、この点を原因とした実用上の制約があった。【解決手段】n型InAlAsをキャリア供給層5とし、InGaAsをチャネル層3とするインジウム・リン系高電子移動度トランジスタにおいて、キャリア供給層5の中に、価電子帯の正孔伝導に対して障壁となるInAlAsまたはInAlGaAsから構成される障壁層5cを設ける。例えば、キャリア供給層5としては、In組成52%のInAlAsを使用し、障壁層5cとしてIn組成42%のInAlAsを使用する。そしてこのことによりHEMTとしてのゲート耐圧を改良する。

Claim (excerpt)：

n型インジウム・アルミニウム・砒素をキャリア供給層とし、インジウム・ガリウム・砒素をチャネル層とする高電子移動度トランジスタにおいて、価電子帯の正孔伝導に対して障壁作用を有する障壁層を、前記キャリア供給層の中に形成したことを特徴とするインジウム・リン系高電子移動度トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/20

FI (2)：

H01L 29/80 H , H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-316202 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-225239

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