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J-GLOBAL ID：200903025446903339

プラズマエッチング装置

Inventor： 長谷川 誠 ,  神原 弘光 ,  石川 吉夫 ,  今村 靖男 ,  青木 誠
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994033645
Publication number (International publication number)：1995245292
Application date： Mar. 03, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 被処理体表面のエッチングレートの均一性の向上が図れる上に、そのエッチングのプロセス条件の変更に対しても、簡単に対処し得て、被処理体表面のエッチングレートの高い均一性が得られるようになるプラズマエッチング装置を提供することにある。【構成】 真空処理容器1内に半導体ウェーハ10をセットしてプロセスガスを導入し、下部電極2と上部電極6との間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、該ウェーハ10のエッチング処理を行うプラズマエッチング装置において、下部電極2上の被処理体支持部3の周囲に設置されるフォーカスリング4を、この表面の外周側部位にタングステン部材12が露出する状態に設けられている複合構造としたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

真空処理容器内に被処理体をセットしてプロセスガスを導入し、下部電極と上部電極との間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、該被処理体のエッチング処理を行うプラズマエッチング装置において、下部電極上の被処理体支持部の周囲に設置されるフォーカスリングを、この表面の外周側部位にタングステン系部材が露出する状態に設けられている複合構造としたことを特徴とするプラズマエッチング装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭62-047130
  
• 特開昭62-174920
  
• プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-160130   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開昭62-047130
  
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-218346   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝, 東京エレクトロン山梨株式会社
• 特開平4-356920