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J-GLOBAL ID：200903025460403926

プロトン伝導体及びその製造方法

Inventor： 山中 昭司 ,  久保 章
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 野口 繁雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004214881
Publication number (International publication number)：2006040587
Application date： Jul. 22, 2004
Publication date： Feb. 09, 2006
Summary：

【課題】 耐熱性が高く、高いプロトン伝導度を有する固体電解質のプロトン伝導体を簡便に製造する。 【解決手段】 以下の工程(A)から(C)を含んでプロトン伝導体を製造する。 (A)AlPO4、B2O3及びR2O(Rはアルカリ金属)を主成分とするAlPO4-B2O3-R2Oガラスを得る工程、 (B)前記ガラスがR2O成分の一部分を残した状態のイオン交換性メソポア多孔体となるまで、前記ガラスからB2O3成分及びR2O成分の少なくとも一部分を水又は弱酸もしくは弱アルカリの水溶液に溶出させる工程、並びに (C)前記メソポア多孔体のR2O成分のRイオンの少なくとも一部分をプロトンと交換させるイオン交換工程。【選択図】 図なし

Claim (excerpt)：

AlPO4を主成分とし、孔径が2nm以上の細孔をもつAlPO4系イオン交換性メソポア多孔体であって、その細孔壁がプロトンとイオン交換されているプロトン伝導体。

IPC (3)：

H01M 8/02 ,  H01B 1/06 ,  H01B 13/00

FI (3)：

H01M8/02 M ,  H01B1/06 A ,  H01B13/00 Z

F-Term (10)：

5G301CA12 ,  5G301CA19 ,  5G301CD01 ,  5H026AA06 ,  5H026BB00 ,  5H026BB10 ,  5H026CX05 ,  5H026EE11 ,  5H026EE15 ,  5H026HH05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 多孔質体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-019740   Applicant：科学技術振興事業団
• 特開昭62-241265
  

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-241265
  
• 特開昭62-241265
  
• 多孔質体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-019740   Applicant：科学技術振興事業団