Pat
J-GLOBAL ID:200903025529248502
真空処理装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994108484
Publication number (International publication number):1995321047
Application date: May. 23, 1994
Publication date: Dec. 08, 1995
Summary:
【要約】【目的】 排気ポンプの使用合計台数を2台までに減らすことができ、設置スペース並びに設備費の削減が図れ、特定の室の粗引き排気が他の室の真空維持機能に悪影響を与えないマルチチャンバ型真空処理装置を提供することにある。【構成】 ロードロック室1と、これにゲートバルブ2を介し接続する移載室3と、これにゲートバルブ4を介し接続する複数個の真空処理室5とを備え、ロードロック室1と移載室3と各真空処理室5とに対しバルブ15a〜15fを介し接続する共通の粗引き用排気ポンプ34を備えた第1排気系31と、これと別にロードロック室1と移載室3と各真空処理室5とに対しバルブ18a〜18f,19c〜19fを介し接続する共通の真空維持用排気ポンプ44並びに移載室3と各真空処理室5にバルブを介しそれぞれ接続する各管路42c〜42f途中に真空ポンプ17c〜17fを備えた第2排気系41とを具備している。
Claim (excerpt):
複数の真空室を備えた真空処理装置において、前記各真空室に対しそれぞれバルブを介し接続する共通の粗引き用排気ポンプを備えた第1排気系と、この第1排気系と別に前記各真空室に対しバルブを介しそれぞれ接続する共通の真空維持用排気ポンプを備えた第2排気系とを具備し、前記各真空室の個々の大気開放状態から真空への粗引き排気を前記第1排気系で行い、その各真空室の真空維持を第2排気系で行う構成としたことを特徴とする真空処理装置。
IPC (6):
H01L 21/205
, C23C 14/56
, H01L 21/02
, H01L 21/203
, H01L 21/68
, B05C 13/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
-
半導体製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-291442
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
-
特開平4-033222
-
特開平1-159475
-
マルチチヤンバー型スパツタリング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-257823
Applicant:松下電子工業株式会社
Show all
Return to Previous Page